CMP抛光设备压力调校与运维——感压纸在半导体前道工艺中的实战

化学机械抛光（CMP）是晶圆平坦化的关键工序，抛光头与晶圆的接触压力分布直接决定抛光速率的一致性：压力偏大区域过抛、偏小区域欠抛，造成晶圆表面损伤与碟陷。

本文以 CMP 设备的调校与运维为主线：用感压纸采集抛光头压力分布的方法（胶片尺寸、插入位置、施压参数）、色阶图的解读（环带分布异常与保持环状态、中心/边缘偏差的对应关系）、以及基于分布数据的调机策略。半导体前道设备维护的实战参考。